电铸晶圆模版加工

一、产品介绍

电铸晶圆模版是针对半导体晶圆制程研发的超高精密电铸模具，采用高纯镍钴合金光刻电铸一体成型工艺制造，适配8英寸、12英寸晶圆精密制程工艺。产品无机械切削与激光热应力，板面平整无变形，微孔、阵列图形、晶圆对位结构复刻精度可达微米级，彻底解决传统模版孔位偏移、边缘粗糙、厚薄不均、批量一致性差等问题。产品具备超薄均质、高平整度、高稳定性等优势，可实现高密度阵列孔、异形精密图形一体化成型。适配晶圆植球、镀膜、蚀刻、辅助压合等精密工序，精度持久稳定、耐高低温循环、可反复清洗使用，是先进半导体晶圆封装与微纳加工的核心精密模具配件。

二、产品特点

• 零应力一体成型：采用光刻电铸整体成型工艺，无冲压、无切削、无激光热熔损伤，板材无内应力堆积，长期晶圆制程作业不易翘曲、变形、走位。

• 超高图形复刻精度：微米级图形转移能力，阵列孔、微纳结构、对位标记成型精准，孔壁垂直光洁、无毛刺、无塌边，无需二次修边加工。

• 晶圆级高一致性：整板厚薄均匀、平面度极高，单版全域误差小，批量生产尺寸统一，完全适配晶圆规模化精密量产标准。

• 结构定制性极强：支持8/12英寸标准晶圆尺寸、异形微纳孔、高密度阵列、阶梯结构定制，可匹配各类晶圆制程工艺需求。

• 耐制程工况稳定：镍钴合金基材硬度高、抗疲劳、耐酸碱清洗、耐高低温制程环境，反复使用精度不衰减，使用寿命远超传统模版。

三、产品性能

• 超高尺寸精度：全域尺寸公差±0.002mm，微孔孔径精度±1μm，阵列孔距误差极小，满足晶圆微纳级精密加工要求。

• 极致平面度性能：整板超薄均质成型，板面平整无波浪形变，贴合晶圆平面贴合度高，杜绝虚印、漏印、对位偏移问题。

• 制程稳定性能：无应力结构设计，耐高温、耐冷热冲击，在晶圆镀膜、植球、固化等多工序环境下精度稳定不漂移。

• 物理耐久性能：基材韧性强、硬度高，抗摩擦、抗腐蚀，可耐受多次超声波清洗、药液清洗，长期量产无疲劳失效。

• 精密对位性能：高精度定位基准结构，对位误差极低，适配自动化晶圆产线对位作业，有效提升制程良率。

四、产品应用领域

• 半导体晶圆植球制程：8/12英寸晶圆级WLCSP、Fan-out、FC晶圆整片精密植球、锡膏印刷定型专用模版。

• 晶圆微纳加工制程：晶圆镀膜、掩膜开窗、局部蚀刻、绝缘层图形化成型精密辅助模具。

• 先进封装工艺：晶圆级封装、Chiplet芯粒封装、异构集成制程中的精密图形定位与成型模版。

• 存储芯片晶圆制程：DRAM、NAND闪存晶圆整片印刷、植球、阵列成型精密配套模版。

• 功率半导体晶圆：MOS、IGBT、车载功率晶圆精密涂布、定位成型，适配车规级高可靠制程标准。

• 光电晶圆制程：图像传感器、LED晶圆、光学半导体晶圆精密图形加工与遮光定型制程。